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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
62
75
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
62
读取速度,GB/s
1,943.5
16.7
写入速度,GB/s
1,672.1
7.0
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
1808
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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