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Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
75
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
1763
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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