RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
75
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1763
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link