RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3157
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link