RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3157
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link