RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3157
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link