RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
50
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2326
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link