RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de -37% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
9.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
1767
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link