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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
6.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2065
1767
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
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