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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
50
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
35
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
1851
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
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