RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
4164
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link