RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
59
Autour de -119% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
3956
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link