RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3956
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link