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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 14.2
    Valeur moyenne dans les tests
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Signaler un bogue
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 59
    Autour de -136% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.4 left arrow 1,855.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 5300
    Autour de 3.62 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,168.0 left arrow 14.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,855.7 left arrow 7.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    680 left arrow 2104

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