RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2104
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link