RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
59
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2512
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link