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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Pontuação geral
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Pontuação geral
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razões a considerar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 16.3
    Valor médio nos testes
Kingston 9905624-004.A00G 4GB Razões a considerar
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 59
    Por volta de -157% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.0 left arrow 1,855.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,168.0 left arrow 16.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,855.7 left arrow 12.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    680 left arrow 2512

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparações de RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB Comparações de RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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Memória RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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Memória RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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