RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
86
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
86
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
6.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
1469
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link