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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
96
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
4.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
96
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
6.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
4.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
992
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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