Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

45 86

Около 48% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.1 6.3

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.5 11.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 86
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 13.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2077 1469

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB

Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

модули RAM