RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
59
Autour de -4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
57
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2253
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link