RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
59
Autour de -168% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2902
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link