RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de 29% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link