RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link