RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3721
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link