RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3721
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link