RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
36
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3449
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link