RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology C 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology C 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
1983
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology C 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Transcend Information TS9W9NESD-I 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link