RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
36
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2792
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link