RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2792
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link