RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2792
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link