RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
101
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
101
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
1313
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link