RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de -43% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2943
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link