RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2943
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link