Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Note globale
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    33 left arrow 50
    Autour de 34% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.8 left arrow 15.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.5 left arrow 10.9
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    33 left arrow 50
  • Vitesse de lecture, GB/s
    17.8 left arrow 15.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.5 left arrow 10.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3285 left arrow 2512
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons