RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
50
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
50
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2512
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link