RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
50
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
50
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2512
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link