RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
3938
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link