RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2740
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link