RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2740
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link