RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против AMD R9S48G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
41
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3518
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link