RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
41
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
37
Velocità di lettura, GB/s
13.3
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
3518
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link