RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
60
Около -161% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3125
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link