RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
29
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
3987
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link