RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
29
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
3929
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link