RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
19.0
Скорость записи, Гб/сек
7.1
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3929
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link