RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
50
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
11.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2481
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link