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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
50
Autour de -9% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2481
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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