RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
29
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
3036
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link