RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de -185% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3583
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link