RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
23.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
19.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
4276
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link