RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
23.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
19.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
4276
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link