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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
8500
Autour de 2.75 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
23400
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2761
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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