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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
8500
左右 2.75 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
10.5
16.3
写入速度,GB/s
7.1
12.2
内存带宽,mbps
8500
23400
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2761
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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